神工股份欲做半導體級單晶硅材料領域領先者
半導體單晶硅材料供應商錦州神工半導體股份有限公司(簡稱“神工股份”)科創板首發上市申請近日獲得通過。神工股份以集成電路刻蝕用單晶硅材料為切入點,進入全球半導體產業鏈體系,形成了獨特競爭優勢。
公司表示,未來將持續增加研發及產業化投入,逐步進入市場空間更為廣闊的芯片用單晶硅材料市場,致力成為半導體級單晶硅材料領域的領先者。
瞄準單晶硅領域
半導體是現代信息技術的基礎性、先導性和戰略性產業。半導體材料主要應用于晶圓制造與封裝。相關數據顯示,2018年全球半導體材料銷售額達519億美元。其中,半導體制造材料市場規模322億美元,封裝材料市場規模197億美元。
半導體硅材料主要為單晶硅材料。按照應用場景劃分,半導體硅材料分為芯片用單晶硅材料和刻蝕用單晶硅材料。神工股份目前主營集成電路刻蝕用單晶硅材料的研發、生產和銷售,主要產品為大尺寸高純度集成電路刻蝕用單晶硅材料。
招股說明書顯示,神工股份在集成電路刻蝕用單晶硅材料領域已建立完整的研發、生產和銷售體系,產品質量達到國際先進水平,可滿足7nm先進制程芯片制造刻蝕環節對硅材料的工藝要求。公司生產的集成電路刻蝕用單晶硅材料尺寸范圍覆蓋8英寸至19英寸。其中,14英寸以上產品占比超過90%。
在刻蝕設備硅電極制造所需集成電路刻蝕用硅材料細分領域,神工股份在產品成本、良品率、參數一致性和產能規模等方面具備較明顯的競爭優勢,細分市場占有率不斷上升。公司已成功進入國際先進半導體材料產業鏈體系。神工股份調研估算,全球刻蝕用單晶硅材料市場規模約1500噸至1800噸,公司2018年市場占有率約13%至15%。
招股說明書顯示,神工股份主要客戶包括三菱材料、SK化學、CoorsTek、Hana、Silfex等國際知名刻蝕用硅電極制造企業。自2015年開始,神工股份量產單晶硅材料尺寸主要為14英寸以上產品,產品主要應用于全球12英寸先進制程集成電路制造,是國內極少數能夠實現大尺寸、高純度集成電路刻蝕用單晶硅材料穩定量產的企業之一。
具備技術優勢
半導體級單晶硅材料行業技術壁壘較高。半導體級單晶硅材料質量優劣的評價標準主要包括晶體尺寸、缺陷密度、元素含量、元素分布均勻性等一系列參數指標。實際生產過程中,除了熱場設計、原材料高純度化處理外,需要匹配各類參數并把握晶體成長窗口期以控制固液共存界面形狀。企業建立競爭力需要長時間的經驗積累及技術積淀。
招股說明書顯示,神工股份突破并優化了多項關鍵技術,構建了較高的技術壁壘。公司擁有的無磁場大直徑單晶硅制造技術、固液共存界面控制技術、熱場尺寸優化工藝等技術處于國際先進水平。公司已成功進入國際先進半導體材料產業鏈體系,并在相關細分領域形成了全球化優勢。
公司主要領先技術成果方面,在無磁場輔助條件下,以28英寸小熱場高良率成長出16英寸以上(晶向指數100)的超大直徑單晶體;實現量產70-80ohm/cm超窄電阻率、高面內均勻性的18英寸單晶體;率先實現19英寸(晶向指數100)單晶體量產;成功研發業內首批17英寸(晶向指數111)硅單晶體;成功研發在無磁場輔助下芯片用的8英寸晶體的低缺陷成長技術等。
此前,中國電子材料行業協會對神工股份“半導體刻蝕機用無磁場28吋熱場量產19吋硅單晶技術”的集中評審鑒定中認為,其優化了相關熱系統設計、晶體生長工藝,改善了固液界面的控制,實現了無磁場條件下利用28英寸熱系統生長19英寸直拉硅單晶,良品率高、成本低、徑向電阻率均勻性好,并能大規模穩定量產。該技術填補了國內空白,達到國際先進水平。
在回復上交所第二輪問詢時,神工股份表示,芯片線寬是芯片制造工藝可達到的最小溝道長度,是集成電路生產工藝先進水平的主要指標。隨著芯片線寬的縮減,芯片制造工藝中對芯片制造所需各類材料的純度要求將更加嚴格,芯片制造任何環節極其微小材料雜質混入,都會影響芯片的性能及最終的良率水平。芯片制程越小,對刻蝕用單晶硅電極的純度要求更高。
神工股份表示,公司生產環節涉及半導體材料學、晶體結構學、熱力學、流體力學、無機化學、自動控制學等多學科知識的綜合運用,技術難度較高。隨著刻蝕用單晶硅材料尺寸擴大,對相關工藝技術、設備、材料的要求越高,生產參數的定制化設定和動態控制難度會進一步提升。目前,公司產品量產尺寸最大可達19英寸,2018年度公司14英寸以上刻蝕用單晶硅材料銷售占比達96.13%,公司產品主要應用于12英寸硅片刻蝕,對應的芯片線寬主要為45nm至7nm。公司主要客戶均為全球范圍知名刻蝕用硅電極制造企業。上述客戶對供應商執行嚴格的考察和認證程序,認證周期較長。同時,主要客戶不斷擴大對公司的采購規模,體現客戶對公司產品質量的高度認可。
豐富產品結構
神工股份本次計劃募集資金扣除發行費用后全部用于8英寸半導體級硅單晶拋光片生產建設項目和研發中心建設項目,總投資11.02億元。
具體來看,8英寸半導體級硅單晶拋光片生產建設項目總投資預算8.69億元,具備年產180萬片8英寸半導體級硅單晶拋光片以及36萬片半導體級硅單晶陪片的產能規模。
神工股份表示,該項目擬利用技術等級更高的單晶生長設備生產單晶硅拋光片。目前,我國8英寸以上半導體級硅單晶拋光片亟待國產化,市場空間較大,行業前景預期廣闊。該項目是對公司現有產品線的拓展,實施成功后公司將進入芯片用單晶硅片行業。
研發中心建設項目總投資預算2.33億元,建成后將主要開展超大直徑晶體、芯片用低缺陷晶體、硅片超平坦加工和清洗技術、硅片質量評價分析技術等的研發。
神工股份表示,未來將進一步提升刻蝕用半導體級單晶硅材料產品的性價比水平,在維護現有市場份額的同時不斷開拓新市場;持續增加在芯片用半導體級單晶硅材料領域的研發投入,同時保持與國內外下游客戶的密切溝通,為下游客戶提供符合行業標準且具有較高性價比的芯片用半導體級單晶硅材料。